原子层沉积系统（atomic layer deposition）

通过原理图可以发现ALD并非一个连续的工艺过程，而是由若干半反应序列组成。步骤一中前驱体在基底表面发生化学吸附反应A ，步骤三中反应物与已经吸附了前驱体的基底继续进行表面化学反应B，步骤二、四用惰性气体把多余气体和副产物带出反应腔。A、B两个半反应具有自限制和互补性特点，四个步骤依次循环决定了薄膜的厚度。

不同于传统的化学气相沉积，ALD具有表面自限制的特点，因此在众多薄膜制备技术中脱颖而出，展示出独树一帜的优势！

• 通过调节反应循环次数精确控制薄膜厚度，形成原子级厚度的薄膜
• 薄膜沉积温度友好，RT ~ 400℃
• 可广泛适用于各种形状的衬底，在高深宽比结构及其他复杂三维结构中可也生成保形性极好的薄膜
• 前驱体或反应物是饱和的化学吸附，能保证生成大面积均匀性的薄膜
• 基于自限制特性，ALD过程不需要控制前驱体或反应物流量的均一性
• 薄膜光滑、致密、无针孔
• 适合界面修饰和制备多组元纳米叠层结构
• 具备规模化生产能力

设备规格

工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）
前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶
加热系统：可加热温度范围：RT~150℃
反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）
载气：标准：N2，MFC 流量控制（可定制）
等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）
射频功率：0 ~ 1000W
压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr
本底真空度：< 5 × 10^-3 Torr
真空系统：标准油泵
控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展
操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作
高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃